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TECNICA

Plasma etching

L’attacco ionico reattivo (RIE) è una tecnologia di tipo dry e viene utilizzata su quasi tutti i materiali che vengono utilizzati nell’elettronica e optoelettronica. Il substrato o campione viene bombardato con particelle cariche che rimuovono strato per strato la superficie, in modo riproducibile e anisotropo.

L'attacco ionico reattivo (RIE) viene utilizzato principalmente per la strutturazione anisotropa del silicio, di materiali dielettrici organici e inorganici, materiali metallici di barriera e polimeri per applicazioni elettroniche e optoelettroniche.

Per rimuovere il silicio o gli strati contenenti silicio, si usano principalmente gas di attacco a base di fluoro come CF4 e SF6.
Per l’attacco di molecole organiche o la rimozione di strati inorganici di residui organici, vengono utilizzati plasma di ossigeno o miscele di gas di O2 e CF4.

Gli strati metallici vengono rimossi principalmente tramite rimozione fisica generalmente, per mezzo di plasma di argon.

 

Alcuni esempi di applicazioni sono:

  • Asportazione di fotoresist
  • Attacco del silicio
  • Attacco e modifica superficiale di polimeri fluorurati
  • Microattacco metalli